InAs作為III-V族化合物半導(dǎo)體材料,可以應(yīng)用于磁阻和霍爾元器件、量子點(diǎn)激光器元件、太陽(yáng)能電池和紅外探測(cè)器元件等方面,具有廣泛的研究和應(yīng)用前景.本文以Si（211）為襯底,采用熱壁外延（hot wall epitaxy,HWE）技術(shù)制備了InAs薄膜,研究熱循環(huán)退火（thermal cycle annealing,TCA）次數(shù)對(duì)InAs/Si（211）薄膜結(jié)構(gòu)及電學(xué)性能的影響.熱壁外延制備InAs薄膜的襯底溫度為400℃,生長(zhǎng)時(shí)間為4 h,不同的熱循環(huán)退火次數(shù)為2、4、6、8、10.X射線衍射（XRD）測(cè)試表明:利用HWE技術(shù)在Si（211）襯底表面成功制備了閃鋅礦結(jié)構(gòu)的InAs薄膜,且沿（111）取向擇優(yōu)生長(zhǎng);TCA能夠明顯增強(qiáng)Si（211）襯底表面生長(zhǎng)的InAs薄膜的擇優(yōu)取向.掃描電子顯微鏡（SEM）及原子力顯微鏡（AFM）測(cè)試分析表明:隨著TCA次數(shù)增加到6次,InAs/Si（211）薄膜表面由于晶粒細(xì)化作用變得均勻平整,表面粗糙度從69.63 nm降低到56.43 nm,此時(shí)霍爾遷移率達(dá)到2.67×10～3cm²/（V·s）;過多的退火次數(shù)（≥8次）又...

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【文章目錄】：
1 實(shí)驗(yàn)
    1.1 Si (211) 襯底的處理
    1.2 薄膜的制備及熱循環(huán)退火方法
    1.3 測(cè)試及分析方法
2 結(jié)果與討論
    2.1 退火次數(shù)對(duì)InAs薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
    2.2 退火次數(shù)對(duì)InAs薄膜表面形貌的影響
    2.3 退火次數(shù)對(duì)InAs薄膜電學(xué)性能的影響
3 結(jié)論



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