針對絕緣柵雙極晶體管(IGBT)在過電流關(guān)斷測試中被燒毀的問題,設(shè)計了三種不同的橫向電阻區(qū)結(jié)構(gòu)。為了分析器件的失效機理,研究不同結(jié)構(gòu)橫向電阻區(qū)對過電流關(guān)斷能力的影響,借助Sentaurus TCAD仿真工具構(gòu)建了器件模型,模擬了器件的整個過電流關(guān)斷過程。對三種結(jié)構(gòu)器件在過電流關(guān)斷過程中的內(nèi)部關(guān)鍵物理參量的變化情況進行分析,發(fā)現(xiàn)不同長度的橫向電阻區(qū)對空穴的抽取效率不同,進而可以影響到電流密度分布。當(dāng)電阻區(qū)增加到一定長度時,可以有效提升過電流關(guān)斷能力,避免器件燒毀失效。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020年02期 第262-266+271頁 北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 器件的結(jié)構(gòu)
2 仿真測試結(jié)果
    2.1 通態(tài)下橫向電阻區(qū)附近的空穴濃度與電流密度分布
    2.2 過電流關(guān)斷過程最高溫度變化及溫度分布
3 結(jié)果與分析
    3.1 器件空穴濃度和電流密度演變
    3.2 通態(tài)下橫向電阻區(qū)附近空穴濃度與電流密度分布
4 結(jié) 論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2908716