發(fā)布時(shí)間：2025-03-18 02:30

　　量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)具有發(fā)光顏色易調(diào),色域廣,色彩飽和度高及能耗成本低等優(yōu)勢(shì),已成為下一代顯示和照明的關(guān)鍵性技術(shù)。隨著QLED制備工藝的不斷發(fā)展,全溶液法制備QLED因逐漸擺脫對(duì)傳統(tǒng)蒸鍍工藝的依賴,加工成本低,生產(chǎn)周期短等特點(diǎn)備受業(yè)界矚目。其中,倒置結(jié)構(gòu)的QLED容易和市場(chǎng)主流的n型非晶硅TFT集成,對(duì)高分辨、大尺寸面板的實(shí)現(xiàn)十分關(guān)鍵。然而,目前利用全溶液法制備的倒置QLED依然存在光提取效率低,開啟電壓高等問題,發(fā)光效率仍然無(wú)法與倒置OLED相比,距投入市場(chǎng)應(yīng)用還有一定距離。因此,通過(guò)優(yōu)化材料,利用合適的光調(diào)控和界面修飾手段對(duì)器件性能進(jìn)行優(yōu)化,對(duì)全溶液倒置QLED市場(chǎng)化應(yīng)用具有十分重要的意義。本文通過(guò)改善QLED電子傳輸層,在器件中引入光耦合結(jié)構(gòu)及小分子自組裝層對(duì)全溶液倒置QLED的光學(xué)及電學(xué)性能進(jìn)行優(yōu)化。首先,針對(duì)目前倒置QLED采用納米顆粒氧化鋅制備工藝繁瑣,不利于工業(yè)化生產(chǎn)的問題,我們首次利用溶膠-凝膠Zn O實(shí)現(xiàn)了高效QLED器件的制備。溶膠-凝膠Zn O減小了QLED中的漏電流,縮短了器件制備周期...

【文章頁(yè)數(shù)】：81 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1（a）核殼結(jié)構(gòu)膠體量子點(diǎn)示意圖

從而使半導(dǎo)體的連續(xù)能帶因量子化效應(yīng)演變成分立能級(jí)，如圖1.1(b)所示。能帶大小則因材料及尺寸差異而各不相同，隨著量子點(diǎn)顆粒尺寸的不斷減少，量子點(diǎn)能帶逐漸變大，其光譜發(fā)生藍(lán)移，器件光譜便可通過(guò)改變量子點(diǎn)組分、類型以及尺寸進(jìn)行調(diào)控，如圖1.2所示�？梢�，QLED光譜顏色因量....

圖1.2目前常用的量子點(diǎn)光譜顏色[19]

圖1.2目前常用的量子點(diǎn)光譜顏色[19]1.2.4量子點(diǎn)激子產(chǎn)生機(jī)理與OLED相似，QLED結(jié)構(gòu)類似于“三明治”結(jié)構(gòu)，量子點(diǎn)作為發(fā)光層夾在極之間，如圖1.4所示。器件通過(guò)在量子點(diǎn)發(fā)光層內(nèi)形成激子輻射光子從而發(fā)激子形成過(guò)程則由于激發(fā)能量來(lái)源和器件內(nèi)部材料類型的不同而....

圖1.3量子點(diǎn)內(nèi)部激子形成過(guò)程

子點(diǎn)內(nèi)部激子形成過(guò)程。（a）光子激發(fā)產(chǎn)生激子；（b）電荷生激子；（c）FRET產(chǎn)生激子；（d）電離產(chǎn)生激子[17]QLED工作機(jī)理在OLED的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)，其結(jié)構(gòu)如圖1.4所示，主要由發(fā)光層組成。QLED器件的發(fā)光主要經(jīng)歷三個(gè)階段，首先在器偏壓，在外部偏壓的驅(qū)....

圖1.4QLED工作機(jī)理示意圖

圖1.4QLED工作機(jī)理示意圖[17]全溶液QLED文所述，量子點(diǎn)材料因其獨(dú)特的量子效應(yīng)被廣泛應(yīng)用于發(fā)光器主體發(fā)光材料的QLED色彩飽和度高，發(fā)光光譜窄，在平板照很大的應(yīng)用前景。同時(shí)，由于量子點(diǎn)薄膜可采用旋涂法制備，Q正在向全溶液法邁進(jìn)，有望實(shí)現(xiàn)大面積、可彎折、高效....

本文編號(hào)：4035860