目前,顯示技術(shù)的突飛猛進(jìn),傳統(tǒng)的材料如非晶硅由于其透光性差,遷移率低等問題已無(wú)法滿足人們對(duì)顯示的高需求。尋找可代替非晶硅的新材料成為研究人員發(fā)展顯示技術(shù)的新方向,其中非晶銦鎵鋅氧化物(amorphous-Indium-Gallium-Zinc Oxide,a-IGZ O)材料就是顯示技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的新產(chǎn)物。與傳統(tǒng)的非晶硅相比,非晶氧化銦鎵鋅具有遷移率、均勻性好、在可見光范圍內(nèi)有高透光率、在柔性襯底上可以利用低溫工藝進(jìn)行大面積制備等特點(diǎn),這些優(yōu)勢(shì)使得a-IGZO薄膜晶體管(TFT)在傳感器、柔性電子器件、以及高分辨率平板顯示器方面有著廣泛應(yīng)用其前景。但是由于a-IGZO材料由于穩(wěn)定性不高無(wú)法投入到大規(guī)模的生產(chǎn)和應(yīng)用當(dāng)中,為了解決這一問題,研究學(xué)者提出了雙有源層結(jié)構(gòu)的非晶氧化物a-IZO/IGZO TFT。本文在此基礎(chǔ)上,考慮到a-IZO和a-IGZO導(dǎo)電類型相同,都為n型,并且具有不同的電子親和勢(shì)和帶隙,接觸后會(huì)形成同型異質(zhì)結(jié)構(gòu),利用仿真軟件SILVACO TCAD對(duì)雙有源層異質(zhì)結(jié)構(gòu)a-IZO/IGZO的性能進(jìn)行了仿真和優(yōu)化。論文主要工作分為三個(gè)部分。首先是對(duì)非晶氧化物薄膜晶體管的光學(xué)特性、...

【文章頁(yè)數(shù)】：53 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 薄膜晶體管的發(fā)展
    1.3 國(guó)內(nèi)外a-IGZO TFT的發(fā)展
    1.4 a-IGZO半導(dǎo)體的基本特性
        1.4.1 a-IGZO的光學(xué)特性
        1.4.2 a-IGZO的電學(xué)特性
    1.5 論文主要研究?jī)?nèi)容
第二章 a-IZO/IGZO TFT的特性及仿真環(huán)境
    2.1 a-IGZO TFT的基本理論
        2.1.1 a-IGZO薄膜的基本特性
        2.1.2 a-IGZO TFT的基本結(jié)構(gòu)
        2.1.3 a-IGZO TFT的工作原理
    2.2 a-IGZO TFT雙有源層結(jié)構(gòu)的發(fā)展
    2.3 a-IZO/IGZO TFT的主要性能參數(shù)
    2.4 a-IZO/IGZO TFT的仿真環(huán)境
    2.5 本章總結(jié)
第三章 異質(zhì)結(jié)a-IZO/IGZO TFT的研究和器件仿真
    3.1 異質(zhì)結(jié)a-IZO/IGZO TFT的結(jié)構(gòu)建模
    3.2 異質(zhì)結(jié)模型的建立
        3.2.1 IZO/IGZO異質(zhì)結(jié)的研究
        3.2.2 IZO/IGZO異質(zhì)結(jié)構(gòu)仿真參數(shù)設(shè)置
    3.3 a-IZO/IGZO TFT態(tài)密度模型的建立
        3.3.1 態(tài)密度
        3.3.2 態(tài)密度模型參數(shù)表達(dá)式
        3.3.3 態(tài)密度模型參數(shù)設(shè)置
    3.4 異質(zhì)結(jié)構(gòu)a-IZO/IGZO TFT電學(xué)特性模擬
        3.4.1 輸出特性曲線
        3.4.2 轉(zhuǎn)移特性曲線
        3.4.3 閾值電壓
        3.4.4 亞閾值擺幅
    3.5 氧空位參數(shù)對(duì)器件電學(xué)性能的影響
        3.5.1 氧空位態(tài)密度峰值nov對(duì)器件特性的影響
        3.5.2 氧空位態(tài)平均能量l對(duì)器件特性的影響
        3.5.3 氧空位態(tài)標(biāo)準(zhǔn)差s對(duì)器件特性的影響
    3.6 本章小結(jié)
第四章 a-IZO/IGZO TFT異質(zhì)結(jié)界面態(tài)的仿真
    4.1 異質(zhì)結(jié)界面態(tài)模型的建立
        4.1.1 異質(zhì)結(jié)界面態(tài)
        4.1.2 a-IZO/IGZO界面態(tài)密度模型
    4.2 不同有源層厚度比下界面態(tài)的影響
        4.2.1 界面態(tài)對(duì)閾值電壓的影響
        4.2.2 界面態(tài)對(duì)亞閾值擺幅的影響
    4.3 界面態(tài)密度對(duì)器件的影響
        4.3.1 界面受主帶尾態(tài)對(duì)閾值電壓的影響
        4.3.2 界面受主帶尾態(tài)對(duì)亞閾值擺幅的影響
    4.4 本章小結(jié)
第五章 主要結(jié)論與展望
    5.1 主要結(jié)論
    5.2 展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄 :作者在攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文



本文編號(hào)：4052171