GaN/In_xGa_1-xN型最后一個量子勢壘結(jié)構(gòu)能有效提高發(fā)光二極管（LED）器件內(nèi)量子效率,緩解LED效率隨輸入電流增大而衰減的問題.本文綜述了該結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)變化——In組分梯度遞增以及漸變、GaN/In_xGa_1-xN界面極化率改變等對改善LED器件性能的影響及優(yōu)勢,歸納總結(jié)了不同結(jié)構(gòu)的GaN/In_xGa_1-xN型最后一個量子壘的工作機理,闡明極化反轉(zhuǎn)是該結(jié)構(gòu)提高LED性能的根本原因.在綜述該結(jié)構(gòu)發(fā)展的基礎(chǔ)之上,通過APSYS仿真計算,進一步探索和深入分析了該結(jié)構(gòu)中In_xGa_1-xN層的In組分及其厚度變化對LED內(nèi)量子效率的影響.結(jié)果表明:In組分的增加有助于在GaN/In_xGa_1-xN界面產(chǎn)生更多的極化負電荷,增加GaN以及電子阻擋層處導(dǎo)帶勢壘高度,減少電子泄漏,從而提高LED的內(nèi)量子效率;但GaN/In_xGa_1-xN型...

【文章頁數(shù)】：8 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 Ga N/InxGa1-xN作為最后一個量子壘的研究概況
3 器件仿真及結(jié)果分析
4 結(jié)論



本文編號：4053719