SiC陶瓷以其獨特的物理化學(xué)性能在航空航天領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。近年來航空航天領(lǐng)域的飛躍式發(fā)展對SiC陶瓷零件的加工形狀精度和表面質(zhì)量有了更高的要求,因而從優(yōu)化砂輪地貌和磨削工藝的角度去改善加工質(zhì)量、提高加工效率的努力顯得極為重要。目前,單顆磨粒磨削方法由于具有單顆磨粒切厚可控、磨削過程獨立的優(yōu)勢而常被用來研究SiC陶瓷的磨削去除機理。然而,磨削是砂輪表面大量磨粒共同參與切削材料的過程,單顆磨粒的方法無法準確解釋整個砂輪磨削過程中的多顆磨粒的共同作用對材料去除的影響。因此,本文提出了雙磨粒磨削SiC陶瓷的磨粒間耦合作用的研究,基于有限元仿真和試驗研究手段,確定耦合作用最強時的雙磨粒排布軸向間距,并在最佳磨粒排布條件下分析磨削參數(shù)對SiC陶瓷磨削加工的影響。本文主要工作及取得的成果如下:(1)進行了兩顆磨粒磨削SiC陶瓷的有限元仿真,在不同的磨粒軸向間距條件下分析了第一主應(yīng)力和磨痕形貌,并根據(jù)磨削力、材料去除率的仿真結(jié)果,初步確定軸向間距在300μm左右時,磨削過程中磨粒間耦合作用最強。(2)基于單層釬焊砂輪磨粒排布基本形式,進行了兩顆磨粒變軸向間距磨削試驗,以磨削力、材料去除率為評價指...

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1壓痕斷裂力學(xué)模型

圖1.1壓痕斷裂力學(xué)模型，存在一個臨界載荷Pc。當P<Pc時，陶瓷表面，中位徑向裂紋形成。Pc有如下公式：HEfHKPICc34數(shù)，f(E/H)為衰減函數(shù)，一般ξ·f(E/H)≈2×105；KI度，MPa。橫向裂紋并進行延伸擴展決定....

圖1.2帶有金剛石壓頭的單顆磨粒砂輪裝置

圖1.2帶有金剛石壓頭的單顆磨粒砂輪裝置軍[35]等人用可磨削熱電偶NI-DAQ設(shè)備測量了單顆金剛石磨削SiC陶瓷外圓且建立了基于試驗法的SiC磨削溫度場分布模型。曹建國[36]研究了超聲輔助磨除機理，結(jié)果表明相比于傳統(tǒng)磨削，單顆磨�？虅澇龅陌疾凵疃容^深，且橫。Z....

圖1.3葉序模型示意

圖1.3葉序模型示意[47]等人用刻蝕法加工硅形成均布磨粒砂輪模型，探索了有序磨削狀態(tài)。肖冰[48]等人為研究磨粒有序排布工藝，制作了陣砂盤表面磨粒的有序分布狀態(tài)，并成功地將其運用到釬焊工形狀進行了磨粒分布，研究了砂輪的磨損性能。筆者所在課藝研究和釬焊砂輪磨削性能評價等方面做....

圖2.1兩顆磨�？虅澒ぜ疽鈭D

圖2.1兩顆磨�？虅澒ぜ疽鈭Db）分別是磨粒刻劃工件過程的主視圖和俯視圖，其中X和徑向。ap表示磨粒的磨削深度。d表示為兩顆磨粒的軸的距離。當d由小逐步變到大時，兩條劃痕重疊部分逐步單顆磨粒的切削過程分析，兩顆磨粒在d較大時互相不影生互相干涉，在X方向上的干涉....

本文編號：3933949