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添加劑及超聲波對純鋁微弧氧化的影響

發(fā)布時(shí)間:2017-11-22 02:12

  本文關(guān)鍵詞:添加劑及超聲波對純鋁微弧氧化的影響


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【摘要】:本文以純鋁為基體材料,利用自制的WH-1A型微弧氧化設(shè)備對試樣表面進(jìn)行微弧氧化處理,研究了:添加劑六偏磷酸鈉對微弧氧化電壓以及微弧氧化膜層的物相組成、膜層形貌及結(jié)構(gòu)的影響;利用兩步法,還研究了微弧氧化膜層的生長機(jī)理;此外還研究了超聲波作用下微弧氧化初期膜層的生長機(jī)理。研究結(jié)果表明:添加劑六偏磷酸鈉的加入提高了微弧氧化所需電壓,有利于促進(jìn)硅酸鹽更多的參與成膜形成莫來石相;同時(shí),六偏磷酸鈉促進(jìn)厚度的增加,表面粗糙度增加;硅酸鹽電解液中膜層/基體界面處的膜層形貌是破碎的小球狀形貌,而添加六偏磷酸鈉有利于促進(jìn)膜層/基體界面處的膜層形貌由破碎的小球狀形貌變?yōu)橥暾男∏驙钚蚊?隨著微弧氧化時(shí)間的延長,膜層向內(nèi)向外生長界面的不均勻程度均增加,膜層向內(nèi)生長主要依賴于膜層內(nèi)大空腔處的擊穿放電,而膜層的致密區(qū)可以在長達(dá)20min的時(shí)間內(nèi)不發(fā)生向內(nèi)生長,該區(qū)域的增厚多依賴于膜層的向外生長。微弧氧化初期,超聲波對微弧氧化過程中的電壓并無明顯影響,且對膜層物相的種類及含量也影響甚小;超聲波作用使得膜層的表面放電、物質(zhì)沉積更均勻,膜層的斷面顯示膜層的厚度生長也更均勻,膜層中孔洞類的缺陷減少,但是超聲波也使得膜層中留下了較多的裂紋;電化學(xué)結(jié)果顯示,超聲波作用時(shí)微弧氧化膜層變得均勻,尤其是膜層/基體界面均勻的向內(nèi)生長極大的增強(qiáng)了膜層的耐蝕性,但是膜層中留下的較多裂紋缺陷也降低了膜層的外層電阻。
【學(xué)位授予單位】:燕山大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TG174.4

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7 朱e,

本文編號:1213099


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