發(fā)布時(shí)間：2025-03-15 07:53

　　一維納米材料具有高的比表面積、豐富的表面態(tài)以及較高的表面活性,使其無(wú)論在氣敏傳感器還是在光電器件中都展現(xiàn)出了優(yōu)異的性能。基于一維納米材料器件優(yōu)異的性能,人們?cè)谠擃I(lǐng)域開展了許多有意義的研究。然而隨著納米材料尺寸的不斷減小,當(dāng)直徑小于100 nm時(shí),物體本身的許多固有特性會(huì)發(fā)生質(zhì)的變化。與直徑較大的納米材料相比,小尺寸的納米材料具有大的比表面積、量子限域效應(yīng)和獨(dú)特的光、電特性。有文獻(xiàn)報(bào)道了利用小直徑的納米線構(gòu)筑的器件具有響應(yīng)快,靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)。目前,受納米線制備方法以及器件加工方法等因素限制,所合成的納米線的直徑大多在100 nm左右,大于納米線表面勢(shì)壘層的特征寬度(大約20-40 nm)。因此,在納米線中存在著非耗盡層。減小納米線的直徑,使納米線表面無(wú)法形成表面勢(shì)壘,納米線將處于完全耗盡的狀態(tài),這會(huì)導(dǎo)致納米線本征電阻極大增加。電流輸運(yùn)的關(guān)鍵控制因素就不再是肖特基勢(shì)壘而是納米線的本征電阻,這也是提高納米器件性能的有效途徑,那么首要解決的問題就是如何構(gòu)筑小直徑納米線器件�；�于以上問題的思考,以提高器件的紫外光檢測(cè)特性為目的,我們的研究具體內(nèi)容包括以下幾個(gè)部分:首先,我們利用水熱法合成了合成直徑...

【文章頁(yè)數(shù)】：71 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1ZnO納米線器件的SEM圖、電性質(zhì)和氣敏特性(a-d)分別為單根和多根ZnO納米線器件的SEM圖和不同電壓下的I-V曲線；(e)溫度在200°C的檢測(cè)條件下，單根和多根ZnO納米線器件

件的氣敏特性已有廣泛的研究[33-35]。Khan[36]研究了納米結(jié)對(duì)多個(gè)并聯(lián)的氧化鋅納米線傳感器的電學(xué)性能和傳感率特性如圖1-1所示。在相同電壓下納米結(jié)對(duì)ZnO納米線器件的電流有所提升高的器件對(duì)還原性氣體的響應(yīng)。這是由于ZnO納米線暴露在空氣中，O2通過吸附在Z....

圖1-2四種不同器件的光致發(fā)光光譜和氣敏特性(a-b)原器件；(c-d)H2中退火；(e-f)Ar中退火；(g)225oC條件下，ZnO納米線氣體傳感器暴露于不同濃度的NO氣氛中的瞬態(tài)響應(yīng)

圖1-2(a)和(b)PL光譜是常溫下325nmHe–Cd所激發(fā)，兩個(gè)主峰分別為近邊(380nm)和與氧空位相關(guān)的綠光激發(fā)(490nm)，(c-f)顯示隨著不同條件的處理，與相關(guān)的激發(fā)強(qiáng)度不同，發(fā)現(xiàn)ZnO納米線傳感器對(duì)NO2的靈敏度也不同，研究發(fā)件的氣體靈敏....

圖1-3對(duì)不同直徑納米線/納米棒氣敏傳感器的研究(a)五個(gè)不同尺寸的單納米線傳感器在

1-2四種不同器件的光致發(fā)光光譜和氣敏特性(a-b)原器件；(c-d)H2中退火；(e-f)Ar(g)225oC條件下，ZnO納米線氣體傳感器暴露于不同濃度的NO2氣氛中的瞬態(tài)響應(yīng)onezzer等[38]利用熱化學(xué)氣相沉積的方法合成SnO2納米線并研究不同尺寸....

圖1-4(a)殼層厚度為25nm的SnO2-ZnO核殼納米線的高分辨TEM,(b)殼層厚度與ALD沉積循

圖1-4(a)殼層厚度為25nm的SnO2-ZnO核殼納米線的高分辨TEM,(b)殼層厚度與ALD沉的關(guān)系,(c)SnO2-ZnO核殼納米線器件殼層厚度對(duì)10ppm的不同種類氣體的響應(yīng)關(guān)系總該SnO2－ZnO核殼納米線是通過兩步法得到，首先利....

本文編號(hào)：4035417