介紹了電子束真空氣相沉積(EBPVD)鍍膜技術的優(yōu)點、國內外發(fā)展現(xiàn)狀,并對其關鍵技術:材料的高速電子束蒸發(fā)過程在真空和工藝參數(shù)控制下的物質的沉積、成分和組織結構的控制等方面進行了分析。簡要論述了其硬件條件,以便為鋼鈦復合材料的制備提供解決思路。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

圖1　硫化錫晶體結構示意圖

從而構成一個高度扭曲的八面體結構。在每個層內,原子通過共價鍵結合,層與層之間則由范德華力結合。結構如圖1所示,表1列出了基本的物理性能及光電參數(shù)。表1　硫化錫的基本性能參數(shù)Table1　ThebasicpropertiesoftinsulfideProperties....

圖1 電子槍的結構原理

與合金相似,純金屬以單個原子的形式蒸發(fā)。然而,對于大多數(shù)合金而言,液態(tài)合金上面的氣相組成并不等于合金的平均成分。合金會發(fā)生分餾,這導致冷凝在基體表面的凝析層會含有最多的揮發(fā)組分。采用不同的蒸發(fā)方法,可得到厚度均勻的多組分金屬材料的混合物[7]。3.2.1成分控制

圖2 電子束鍍合金膜原理

化合物的蒸發(fā)(如氧化物、碳化物和硼化物等)通常伴隨有初始分子種類的變化。許多難熔化合物的特征是與初始分子解離,生成氣態(tài)產物。例如在蒸發(fā)過程中形成氧、鋁、醛等。只有在解離產物的揮發(fā)性基本相同的情況下,才有可能從一個來源直接蒸發(fā)得到不改變化合物初始組成的蒸發(fā)冷凝產品。難熔氧化物如(A....

圖3 結構分區(qū)示意

電子射束蒸發(fā)的純金屬和耐火材料氧化物、碳化物、硼化物類型的化合物以及隨后的水蒸氣凝結襯底在較寬的溫度范圍內Ts,導致形成三個有特色的構造帶與極限溫度T1和T2[9]。圖3給出了結構分區(qū)的示意,具體取決于相應的溫度Ts/Tm。其中,Tm為熔化溫度(K)。通過對上述區(qū)域熱激活過程活化....

本文編號：4045348