真空退火溫度對磁控濺射氧化釩薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響
發(fā)布時(shí)間:2025-06-28 01:20
通過磁控濺射法在玻璃基底上制備氧化釩薄膜樣品。由于沉積溫度較低,薄膜樣品呈非晶態(tài)且不透明。為使薄膜樣品晶化,并有效抑制其過度氧化,將樣品在管式真空爐中進(jìn)行退火處理。本文重點(diǎn)研究了退火溫度對薄膜結(jié)構(gòu)和在可見至近紅外波段光學(xué)性能的影響,退火溫度的調(diào)節(jié)范圍為300~550℃,退火時(shí)間固定為120 min。研究發(fā)現(xiàn),隨退火溫度升高,薄膜樣品的結(jié)晶度越好,當(dāng)溫度達(dá)到500℃時(shí),薄膜樣品結(jié)晶最好,薄膜基本由純VO2相構(gòu)成,且透光性能最好。隨著退火溫度進(jìn)一步提高,薄膜中出現(xiàn)雜相,光學(xué)性能反而下降。
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【部分圖文】:
本文編號:4054192
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圖1 不同退火溫度下氧化釩薄膜的X射線衍射結(jié)果
圖2是不同退火溫度下VO2薄膜的透射譜。從圖2可以看到,在較短的波長范圍,特別是紫外波段(200~400nm),無論退火與否,薄膜基本不透光。在可見光(400~780nm)和近紅外區(qū)(780~1500nm),當(dāng)退火溫度較低、只有300℃時(shí),薄膜透射率幾乎為零,也呈現(xiàn)出不透光狀....
圖2 不同退火溫度下氧化釩薄膜的透射譜
以上實(shí)驗(yàn)研究表明,退火處理對釩的氧化物薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能有較為明顯的影響。隨著退火溫度的變化,薄膜的物相組成也發(fā)生變化,在較低和較高的溫度下,均可能出現(xiàn)多種釩的氧化物共存的情況(見圖1),相應(yīng)地,薄膜的透射率較低。當(dāng)退火溫度為500℃時(shí),薄膜基本由單一的VO2相組成,薄膜具....
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