微/納結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體薄膜材料,因其獨(dú)特的性質(zhì)廣泛應(yīng)用于光電化學(xué)、光催化劑、氣體傳感器、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。其中硫化鎘(CdS)半導(dǎo)體材料因具有窄直接帶隙結(jié)構(gòu)(2.4 eV)且能有效地吸收可見光的能量,而作為各種寬帶隙半導(dǎo)體材料的光敏化劑用于光電化學(xué)池。本文研究了 CdO/CdS和ZnO/CdS兩種微/納結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體薄膜光電材料的制備及其光電化學(xué)性能。主要內(nèi)容如下:1.在不使用任何模板的情況下,采用電沉積法在導(dǎo)電玻璃(FTO)上得到不規(guī)則的金屬Cd微米島陣列,在空氣氛圍中熱處理氧化后制得CdO微米島陣列,經(jīng)連續(xù)離子層吸附反應(yīng)(SILAR)法在其表面修飾上CdS納米粒子制得不規(guī)則的CdO/CdS微米島陣列(MIA-CdO/CdS)薄膜。研究了該復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)、組成、光學(xué)性質(zhì)及光電化學(xué)性能。優(yōu)化條件下所制備的MIA-CdO/CdS光陽(yáng)極具有高表面積能有效吸收可見光產(chǎn)生電子和空穴對(duì);密集快捷的電子傳輸途徑,以加快電荷的分離與傳導(dǎo);豐富的液體通道,可強(qiáng)化溶液與CdS表面間的傳質(zhì)過(guò)程。在光源強(qiáng)度為100 mW cm-2可見光照射下,測(cè)得其作為光陽(yáng)極在0.1 mol dm-3 Na2SO3 + 0.1 mol dm...

【文章頁(yè)數(shù)】：74 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)示意圖［９１

費(fèi)米能級(jí)（及）是表征半導(dǎo)體中電子平衡分布的一個(gè)重要參數(shù)。本文中１．２．２??中提到的本征半導(dǎo)體、Ｎ型半導(dǎo)體、：Ｐ型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)所處位置分別是禁帶??寬度的一半（及＝?￡ｇ／２），接近導(dǎo)帶，接近價(jià)帶。不同半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)示意圖１－１。??４??

圖１－２常見半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)與水分解電位的關(guān)系【１°】

圖１－３?Ｉ型和ＩＩ型復(fù)合半導(dǎo)體材料能級(jí)結(jié)構(gòu)

圖１￣４光催化反應(yīng)產(chǎn)生氫氣主要步驟［２１】

本文編號(hào)：4055489