激光干涉法測(cè)量壓電系數(shù)的理論基礎(chǔ)與應(yīng)用
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【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖2-1壓電效應(yīng)示意圖??
?山東大學(xué)碩士學(xué)位論文???第二章干涉法測(cè)算壓電系數(shù)的理論基礎(chǔ)??2.1壓電效應(yīng)??壓電材料具有非中心對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu),具有壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。壓電晶??體正、負(fù)電荷中心重合,表現(xiàn)為宏觀無(wú)電性。當(dāng)壓電晶體沿某一方向受到外界應(yīng)??力而產(chǎn)生形變時(shí),晶體因產(chǎn)生形變使得正、負(fù)電荷中心不再....
圖2-2干涉法測(cè)試壓電系數(shù)實(shí)驗(yàn)裝置示意圖??14??
?山東大學(xué)碩士學(xué)位論文???E\?=?jEiocos^?+?^io)?(2-14)??Ei?=?Ei〇co^{cjt?+?cpio)?(2-15)??其光強(qiáng)可以分別表不為:??^=E'X=E'°X?(2_i6)??(2-17)??兩列波在空間中尸點(diǎn)相遇則P點(diǎn)光強(qiáng)為:??/?=?/....
圖3-1?LGT晶體辦/而測(cè)試切型示意圖??
?山東大學(xué)碩士學(xué)位論文???LGT晶體對(duì)稱(chēng)性較高,因此對(duì)于系數(shù),我們均采用XY-bar切型對(duì)其進(jìn)??行模擬與測(cè)試。??Z??XV-bar??y?y??圖3-1?LGT晶體辦/而測(cè)試切型示意圖??圖3-1為LGT晶體和Ju系數(shù)干涉法測(cè)試的切型意圖。利用COMSOL??軟件建立了尺寸....
圖3-2?LGT晶體XY-bar切型形變情況??從LGT晶體的壓電系數(shù)矩陣可以看出,在X方向施加電場(chǎng)后,晶體在壓電??
?山東大學(xué)碩士學(xué)位論文???LGT晶體對(duì)稱(chēng)性較高,因此對(duì)于系數(shù),我們均采用XY-bar切型對(duì)其進(jìn)??行模擬與測(cè)試。??Z??XV-bar??y?y??圖3-1?LGT晶體辦/而測(cè)試切型示意圖??圖3-1為LGT晶體和Ju系數(shù)干涉法測(cè)試的切型意圖。利用COMSOL??軟件建立了尺寸....
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