文中通過對SF₆/CF₄混合氣體在針板電極電場條件下,采用光譜測量法分析SF₆氣體含量為20%⁸0%、壓強為0.1～0.3 MPa及電極間距在4～10 mm下的氣體擊穿等離子體導電通道的發(fā)射光譜。利用多譜線斜率法及Stark展寬法計算SF₆/CF₄混合氣體完全擊穿的等離子體通道中電子溫度、電子數(shù)密度等參數(shù),建立等離子體導電通道的電子溫度、電子數(shù)密度與氣體壓強、電極間距的關系。研究表明:當電極間距為4 mm時,隨著混合氣體壓強的升高等離子體電子溫度下降、電子數(shù)密度上升,ρSF₆為80%時等離子體通道的電子溫度由0.1 MPa時的3.72×104 K下降到0.3 MPa時的1.99×104 K,電子數(shù)密度由2.61×1017 m-3增大到5.72×1017 m-3;0.1 MPa下電極間距在4 mm時等離子體通道中電子溫度隨SF₆氣體含量的升高而上升,電子數(shù)密度呈下降趨勢;電極間距在4～10 mm時,ρSF_...

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【文章目錄】：
0 引言
1 光譜測量回路與方法
    1.1 光譜測量回路
    1.2 光譜測量實驗方案
2 擊穿光譜采集與分析
    2.1 光譜測量原理
    2.2 電子溫度的計算與分析
    2.3 電子密度的計算與分析
3 結論



本文編號：4043667