基于超材料的太赫茲超窄帶吸收器設(shè)計(jì)及特性分析
發(fā)布時間:2025-04-26 21:34
提出了一種基于金屬環(huán)結(jié)構(gòu)的太赫茲超窄帶吸收器,其結(jié)構(gòu)單元為典型的金屬-介質(zhì)-金屬結(jié)構(gòu),頂層金屬圖案由封閉金屬環(huán)和四開口金屬環(huán)組成,底層為連續(xù)金屬板。對該吸收器的窄帶吸收原理和吸收峰頻率處吸收器結(jié)構(gòu)的表面電流分布進(jìn)行了研究。結(jié)果表明:該吸收器在1.768 2THz處存在狹窄的吸收峰,吸收率為99.8%,相對于該諧振頻率的半高全寬為0.51%,而且對x和y極化入射波具有極化不敏感。該吸收器具有結(jié)構(gòu)簡單、易于加工的優(yōu)點(diǎn),在生物傳感、窄帶熱輻射和光電探測等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用價值。
【文章頁數(shù)】:5 頁
【文章目錄】:
0 引言
1 吸收器結(jié)構(gòu)
2 吸收特性分析
3 結(jié)構(gòu)參數(shù)變化對吸收性能的影響
3.1 介質(zhì)層厚度h1對吸收率影響
3.2 單元結(jié)構(gòu)周期P對吸收率的影響
3.3 外金屬環(huán)尺寸l1吸收率的影響
4 結(jié)論
本文編號:4041397
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0 引言
1 吸收器結(jié)構(gòu)
2 吸收特性分析
3 結(jié)構(gòu)參數(shù)變化對吸收性能的影響
3.1 介質(zhì)層厚度h1對吸收率影響
3.2 單元結(jié)構(gòu)周期P對吸收率的影響
3.3 外金屬環(huán)尺寸l1吸收率的影響
4 結(jié)論
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