發(fā)布時(shí)間：2025-03-19 06:06

　　白光發(fā)光二極管(white light-emitting diode)簡(jiǎn)稱(chēng)白光LED,由于能耗低、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)快、環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)被譽(yù)為第四代照明光源。其主流實(shí)現(xiàn)方式是使用藍(lán)光LED芯片結(jié)合黃色YAG:Ce熒光粉從而復(fù)合形成白光。但由于這類(lèi)白光LED器件光譜中缺少紅光,造成了相關(guān)色溫高和顯色指數(shù)低的問(wèn)題。本文采用有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦量子點(diǎn)作為YAG:Ce基白光LED的紅光組分,并在量子點(diǎn)膠體溶液中通過(guò)化學(xué)鍵合作用將量子點(diǎn)包覆在YAG:Ce顆粒表面,以避免量子點(diǎn)的團(tuán)聚,最終達(dá)到改善白光LED上述問(wèn)題的目的。本工作圍繞有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦量子點(diǎn)的合成及其在YAG:Ce顆粒表面的包覆展開(kāi),首先研究了合成過(guò)程中鈣鈦礦前驅(qū)體體積以及不同種類(lèi)的胺衍生物表面配體對(duì)量子點(diǎn)的形貌以及光學(xué)性能的影響;接著在對(duì)YAG:Ce顆粒進(jìn)行表面氨基化以及量子點(diǎn)包覆后,研究了氨基功能化以及量子點(diǎn)包覆對(duì)YAG:Ce熒光粉光學(xué)性能的影響;最后制作出白光LED器件,研究了量子點(diǎn)的包覆對(duì)白光LED光學(xué)性能的影響。實(shí)驗(yàn)研究表明:(1)在使用較低體積的前驅(qū)體溶液合成量子點(diǎn)時(shí),由于前驅(qū)物量較少,混合溶液中僅有少量晶核產(chǎn)生,導(dǎo)致鈣鈦礦晶體的過(guò)...

【文章頁(yè)數(shù)】：80 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 白光LED簡(jiǎn)介
        1.2.1 白光LED的實(shí)現(xiàn)方式
        1.2.2 YAG:Ce熒光粉
    1.3 常用紅色發(fā)光材料
        1.3.1 硫化物
        1.3.2 氮化物
        1.3.3 其他稀土紅色發(fā)光材料
        1.3.4 量子點(diǎn)發(fā)光材料
    1.4 鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)光材料
        1.4.1 鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)
        1.4.2 鈣鈦礦量子點(diǎn)
    1.5 相關(guān)性能指標(biāo)
        1.5.1 量子產(chǎn)率
        1.5.2 熒光壽命
        1.5.3 顯色指數(shù)
        1.5.4 相關(guān)色溫
        1.5.5 發(fā)光效率
        1.5.6 CIE色坐標(biāo)
    1.6 本課題研究?jī)?nèi)容及意義
        1.6.1 研究?jī)?nèi)容
        1.6.2 研究意義
第2章 實(shí)驗(yàn)部分
    2.1 實(shí)驗(yàn)原料與設(shè)備
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
    2.2 實(shí)驗(yàn)方法
        2.2.1 鈣鈦礦量子點(diǎn)的合成
        2.2.2 YAG:Ce表面氨基功能化
        2.2.3 鈣鈦礦量子點(diǎn)包覆YAG:Ce熒光粉
    2.3 分析與測(cè)試
        2.3.1 相組成分析
        2.3.2 微觀形貌分析
        2.3.3 發(fā)光性能分析
        2.3.4 表面分析
        2.3.5 電致發(fā)光性能分析
第3章 前驅(qū)體體積對(duì)量子點(diǎn)光學(xué)性能影響
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)方法
        3.2.1 MABr(MA=CH3NH3+)及OABr(OA=C8H16NH3+)的合成
        3.2.2 MAPb Br3 量子點(diǎn)的合成
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 MAPb Br3 量子點(diǎn)的合成
        3.3.2 MAPb Br3 量子點(diǎn)的透射電鏡分析
        3.3.3 MAPb Br3 量子點(diǎn)的時(shí)間穩(wěn)定性
    3.4 本章小結(jié)
第4章 配體種類(lèi)對(duì)量子點(diǎn)光學(xué)性能影響
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)方案
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 MAPb Br3 量子點(diǎn)的合成
        4.3.2 MAPb Br3 量子點(diǎn)的表面狀態(tài)
        4.3.3 MAPb Br3 量子點(diǎn)的熒光壽命
    4.4 本章小結(jié)
第5章 QDs@YAG:Ce的制備及發(fā)光性能研究
    5.1 引言
    5.2 實(shí)驗(yàn)方案
        5.2.1 MAPb Br3-x Ix量子點(diǎn)的合成
        5.2.2 YAG:Ce表面氨基功能化
        5.2.3 QDs@YAG:Ce的制備
        5.2.4 白光LED器件的制備
    5.3 結(jié)果與討論
        5.3.1 MAPb Br3-x Ix量子點(diǎn)的合成
        5.3.2 YAG:Ce的表面氨基化
        5.3.3 QDs@YAG:Ce的表征
        5.3.4 白光LED器件的發(fā)光性能
    5.4 本章小結(jié)
第6章 結(jié)論及展望
    6.1 結(jié)論
    6.2 展望
參考文獻(xiàn)
碩士研究生期間發(fā)表論文
致謝



本文編號(hào)：4036783