采用鍺硅工藝設(shè)計(jì)了一款X波段多功能芯片,該芯片包括開關(guān)、低噪聲放大器、驅(qū)動放大器、移相器和衰減器等功能電路。傳統(tǒng)的微波多功能芯片通常采用砷化鎵（GaAs）工藝實(shí)現(xiàn),具有成本高、集成度低等缺點(diǎn),該設(shè)計(jì)采用Si基工藝來實(shí)現(xiàn),大大降低了芯片成本,同時(shí)提高了集成度。通過采用片內(nèi)溫度補(bǔ)償、相位補(bǔ)償和并聯(lián)峰化等一系列技術(shù),使其達(dá)到較好的溫度特性、較小的衰減附加相移和寬帶特性。測試結(jié)果表明:該多功能芯片工作頻率8 GHz～12 GHz,均方根相位誤差3°,衰減附加相移小于2.5°,接收增益10 dB,發(fā)射增益3 dB。芯片包含焊盤的尺寸約為12.6 mm²。在性能和GaAs工藝多功能芯片相當(dāng)?shù)那疤嵯?面積減小30%以上,成本可以大幅降低。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 芯片架構(gòu)
2 電路設(shè)計(jì)
    2.1 放大器電路
    2.2 衰減器電路
    2.3 移相器電路
    2.4 開關(guān)電路
    2.5 溫度補(bǔ)償
3 測試結(jié)果
4 結(jié)束語



本文編號：4052467