基于Au/VO 2 納米結(jié)構(gòu)的可調(diào)控紅外吸收器設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2025-07-01 23:27
設(shè)計(jì)了一種Au/VO2周期性方形孔洞陣列結(jié)構(gòu)的紅外吸收器,利用時(shí)域有限差分法研究了吸收器的結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)吸收光譜的影響,優(yōu)選出VO2和Au膜層厚度分別為140 nm和80 nm,孔洞邊長和陣列周期分別為1.1μm和1.2μm時(shí),吸收可調(diào)控特性最為明顯,在2.3μm處其高低溫的吸收率差值可達(dá)80.3%.理論模擬計(jì)算了光以不同偏振、入射角入射時(shí)的吸收,結(jié)果表明,正入射時(shí)吸收器是偏振無關(guān)的;斜入射時(shí)吸收器具有廣角吸收的特點(diǎn),與TM偏振相比TE偏振下吸收器具有更強(qiáng)的角度依賴性.低溫時(shí)吸收器中的電磁場呈高度局域化分布,表現(xiàn)為強(qiáng)的吸收;而高溫時(shí)吸收器中的電磁場分布在吸收器表面,吸收被抑制.所設(shè)計(jì)的吸收器吸收效率高,吸收強(qiáng)度可以調(diào)控,可應(yīng)用于新型可調(diào)控智能光電器件.
【文章頁數(shù)】:7 頁
【文章目錄】:
引言
1 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與理論方法
2 模擬計(jì)算與結(jié)果討論
3 結(jié)論
本文編號(hào):4054861
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引言
1 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與理論方法
2 模擬計(jì)算與結(jié)果討論
3 結(jié)論
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