發(fā)布時間：2019-01-17 10:58

【摘要】：利用激光-超高壓電子顯微鏡系統(tǒng)在500℃對SUS316L奧氏體不銹鋼進行了電子束輻照和脈沖激光-電子束雙束同時輻照(以下簡稱:同時輻照),通過觀察和分析輻照后自由晶界處無空洞區(qū)域以及元素偏析,以電子束輻照結果為標準,對比研究了同時輻照對空位擴散的影響.結果表明:同時輻照后的無空洞區(qū)域寬度為48±16 nm,小于電子輻照的71±27 nm;不論在偏析程度還是偏析寬度上,同時輻照條件下Cr和Ni的偏析都小于對應的電子束輻照;同時輻照下空位的擴散通量僅為電子束輻照的45.7%.通過分析得出,和電子輻照相比,同時輻照促進了空位與間隙原子的再結合,限制空位向尾閭擴散,進而造成流入尾閭的空位數(shù)量減少,極大地抑制了輻照偏析與腫脹.脈沖激光-電子束雙束同時輻照可以為探索抑制腫脹方法提供新的思路.
[Abstract]:The SUS316L austenitic stainless steel was irradiated by electron beam and pulse laser beam simultaneously at 500 鈩，

本文編號：2409993