發(fā)布時間：2021-01-10 15:03

　　本論文結合Intel上海科技有限公司65nm NOR型閃存的開發(fā)項目,在深入了解閃存基準電壓調整算法的基礎上,將此理論算法應用于65nm NOR型閃存,并根據測試中遇到的問題作了一定的改進。芯片中的基準電壓是指在電路中用作電壓基準的高穩(wěn)定度的電壓源,它也是閃存芯片中不可缺少的電路模塊,是閃存實現(xiàn)各種操作的基礎,例如讀寫操作都需要在存儲單元的柵極或漏極加上固定大小的電壓。隨著工藝水平的不斷提高,芯片內部的特性有所不同,并且對基準電壓的精度要求也越來越高,所以原有的基準電壓調整算法就不能適用于65nm的閃存。這就要求在原有算法的基礎上根據新工藝的一些特性進行一定的創(chuàng)新和改進。本文從NOR型閃存最基本的寫入機制入手,詳細研究原有算法的每一個步驟,掌握原有算法的關鍵所在,然后通過大量的實驗數據得到與65nm工藝相關的一些特性指標,如寫入特性曲線的斜率等,根據這些新的特性參數對算法進行調整,使其能適用于65nm的工藝水平。一個好的算法必須要能通過大規(guī)模量產的檢驗,即要滿足量產的一些要求,如測試良品率至少要控制在99%以上。本文根據大規(guī)模測試中發(fā)生的問題,對大量的測試數據進行分析,找到問題的共性所... 

【文章來源】：復旦大學上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：45 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

Flash存儲單元結構示意圖

就得到8個線性函數表達式。圖4一1為一組合格裸片的測試結果，4條特性曲線的函數表達式為:y二1318.sx+4916.7(Veo=SV) y=1347.6x+3984.5(VeG=4V)y=1254.9x+3103.4(Veo=3V) y=986.5lx+2436.1(Veo=ZV)由此可得合格裸片特性曲線斜率的中位數為 1286mV/decede。值得注意的一個現(xiàn)象是，特性曲線的斜率并非如第3章中假設的那樣不隨VcG的變化而變化，而是隨著VcG的增加相應的有小幅增加。合合合合合合合合合合合格裸片的特性曲線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線 線。。 _______.一_:…萬念{{一下 ____ 7777一‘一，一~，份一，而分一一于-一一一鉀一一一丁‘一一一爭‘二份聲一’ {一 一八八6000}一共一高一偏一一一一拼斗七鄉(xiāng)奮扮畔牛一，，一一，一任二洲一一“一一一一一一一一一一一一 一 >>>{叮二戶一尸尸丫一一_曰~。，八加，二八一 一 一匕匕匕5000與奮碑竺二‘一-‘一-一七戶戶碑叮石一一一一一一高尸二奮戶一

就得到8個線性函數表達式。圖4一1為一組合格裸片的測試結果，4條特性曲線的函數表達式為:y二1318.sx+4916.7(Veo=SV) y=1347.6x+3984.5(VeG=4V)y=1254.9x+3103.4(Veo=3V) y=986.5lx+2436.1(Veo=ZV)由此可得合格裸片特性曲線斜率的中位數為 1286mV/decede。值得注意的一個現(xiàn)象是，特性曲線的斜率并非如第3章中假設的那樣不隨VcG的變化而變化，而是隨著VcG的增加相應的有小幅增加。合合合合合合合合合合合格裸片的特性曲線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線 線。。 _______.一_:…萬念{{一下 ____ 7777一‘一，一~，份一，而分一一于-一一一鉀一一一丁‘一一一爭‘二份聲一’ {一 一八八6000}一共一高一偏一一一一拼斗七鄉(xiāng)奮扮畔牛一，，一一，一任二洲一一“一一一一一一一一一一一一 一 >>>{叮二戶一尸尸丫一一_曰~。，八加，二八一 一 一匕匕匕5000與奮碑竺二‘一-‘一-一七戶戶碑叮石一一一一一一高尸二奮戶一

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2968914