發(fā)布時間：2025-03-17 21:59

　　伴隨著電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的飛速發(fā)展,人們對存儲器的性能提出了更高的要求。對器材小型化,高密度,快讀寫,長壽命的需求不斷驅(qū)動著科技創(chuàng)新。而非易失性存儲器（NVM）器材以其優(yōu)異的性能,越來越受到廣大擁護和科研人員的青睞。作為常用的NVM器件,硅基flash存儲器雖然有著廣泛的應(yīng)用。然而相對壽命短、讀寫速率慢等瓶頸極大地制約了其應(yīng)用前景。作為替代,出現(xiàn)了很多全新的NVM器件,其中包括鐵電隨機存儲器（FeRAM）、相變隨機存儲器（PRAM）、阻變隨機存儲器（RRAM）等。在這些新型的存儲器中,阻變隨機存儲器（RRAM）以其優(yōu)越存儲性能受到越來越多科研人員的關(guān)注,被認為是最有可能替代傳統(tǒng)存儲器的新型存儲器。而鐵酸鉍BiFeO₃（BFO）是一類具有代表性的單相多鐵性材料。作為一種在室溫下兼有鐵電性與反鐵磁性的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料,它獨有的特性促使它在非易失性存儲器等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。然而其較大的漏電流限制了它的應(yīng)用。添加合適的過度層,構(gòu)造多層膜結(jié)構(gòu)可以減少BFO薄膜的漏電流。而ZnO作為一類常見的半導(dǎo)體,在光電、壓電等很多方面擁有突出的特性,可以作為合適緩沖層。本文將他們結(jié)合起...

【文章頁數(shù)】：56 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 新型非揮發(fā)性存儲器簡介
        1.1.1 鐵電儲存器(FeRAM)
        1.1.2 相變存儲器(PRAM)
        1.1.3 阻變存儲器(RRAM)
    1.2 電阻開關(guān)效應(yīng)
        1.2.1 電阻開關(guān)的分類
        1.2.2 電阻開關(guān)的材料
        1.2.3 電阻開關(guān)的電流傳導(dǎo)機制
        1.2.4 電阻開關(guān)的產(chǎn)生機制
    1.3 鐵酸鉍的基本性質(zhì)
        1.3.1 鐵酸鉍的結(jié)構(gòu)
        1.3.2 鐵酸鉍的多鐵性
        1.3.3 鐵酸鉍的光電性質(zhì)
    1.4 氧化鋅的基本性質(zhì)
        1.4.1 氧化鋅的結(jié)構(gòu)
        1.4.2 氧化鋅的物理特性
    1.5 本課題的研究意義和內(nèi)容
第2章 納米薄膜制備及表征
    2.1 納米薄膜的制備
        2.1.1 磁控濺射
        2.1.2 脈沖激光沉積
        2.1.3 分子束外延
        2.1.4 化學氣相沉積
        2.1.5 溶膠-凝膠法
    2.2 薄膜樣品的表征技術(shù)
        2.2.1 薄膜厚度的測量
        2.2.2 薄膜表面形貌的表征
        2.2.3 薄膜成份的測定
        2.2.4 薄膜結(jié)構(gòu)的測定
第3章 ZnO/BFO雙層膜的電阻開關(guān)特性
    3.1 ZnO/BFO樣品的制備
    3.2 ZnO/BFO樣品的表征
    3.3 ZnO/BFO樣品的阻變特性
        3.3.1 退火溫度對I-V特性的影響
        3.3.2 不同掃描電壓下的I-V特性
        3.3.3 樣品的電阻開關(guān)效應(yīng)
        3.3.4 電阻開關(guān)效應(yīng)的穩(wěn)定性
        3.3.5 光照對電阻開關(guān)的影響
        3.3.6 機制解釋
第4章 結(jié)論
參考文獻
碩士期間論文發(fā)表情況
致謝



本文編號：4035533