基于量子點(diǎn)接觸探測(cè)器(QPC)理論上研究了雙量子點(diǎn)(DQD)系統(tǒng)在耗散環(huán)境和純退相環(huán)境影響下的電子轉(zhuǎn)移特性.結(jié)果表明,耗散環(huán)境中探測(cè)器導(dǎo)致的退相干會(huì)增大平均電流和Fano factor隨時(shí)間演化的值,并觀察到量子芝諾效應(yīng)的存在.在對(duì)稱(chēng)的DQD情況下,弛豫減小了平均電流隨時(shí)間演化的震蕩振幅.在非對(duì)稱(chēng)的DQD情況下,弛豫降低了Fano factor隨時(shí)間演化的峰值.純退相環(huán)境中測(cè)量會(huì)阻礙共隧穿過(guò)程中不同電流通道之間的轉(zhuǎn)換,導(dǎo)致Fano factor的極高值.在對(duì)稱(chēng)的DQD情況下,增大純退相速率會(huì)提高Fano factor.在非對(duì)稱(chēng)的DQD情況下,動(dòng)力學(xué)隨時(shí)間的演化對(duì)純退相環(huán)境不敏感.另外,還發(fā)現(xiàn)探測(cè)器內(nèi)n個(gè)電子的轉(zhuǎn)移幾率只受QPC與DQD耦合的影響.我們的結(jié)論可以為實(shí)驗(yàn)工作者研究電子輸運(yùn)特性提供理論參考.

【文章頁(yè)數(shù)】：11 頁(yè)


本文編號(hào)：4001617