目的:已知惡性膠質(zhì)瘤是臨床最常見的原發(fā)性腦腫瘤,放療是惡性膠質(zhì)瘤最主要的治療手段之一,但是療效還不理想。已有研究發(fā)現(xiàn)腫瘤干細胞是膠質(zhì)瘤耐放射的重要原因。同時膠質(zhì)瘤間質(zhì)的宿主細胞可被膠質(zhì)瘤干/祖細胞誘導(dǎo)惡變,這些誘導(dǎo)惡變間質(zhì)細胞是否與膠質(zhì)瘤干/祖細胞一樣高度耐輻射目前尚不清楚,本研究目的在于探討這些誘導(dǎo)惡變細胞對輻射的敏感性及其分子機制,以探索可能的分子干預(yù)手段。方法:連續(xù)多次輻射誘導(dǎo),篩選建立比膠質(zhì)瘤干/祖細胞SU3更加耐輻射的SU3-5R細胞;通過CCK-8法測定各細胞株體外生長曲線,比較各細胞株生長增殖情況;分別將SU3、SU3-5R及SU3誘導(dǎo)惡變的宿主間質(zhì)細胞ih BTC2輻射,計算其克隆形成率,通過放射劑量-存活曲線以及SF2值比較各細胞株對射線的敏感性差異;熒光定量PCR檢測各細胞株輻射后Notch1 m RNA及Hes1 m RNA的表達水平;Western blot檢測ih BTC2細胞Notch信號通路下游輻射相關(guān)蛋白Bcl-2及p Akt表達水平。臺盼藍細胞染色法、化學發(fā)光法、流式法分析ih BTC2的凋亡情況。結(jié)果:膠質(zhì)瘤間質(zhì)惡變細胞ih BTC2比膠質(zhì)瘤干/祖細...

【文章頁數(shù)】：39 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.SU3(A)與SU3-5R(B)細胞形態(tài)

1.SU3(A)與SU3-5R(B)細胞形態(tài)。細胞形態(tài)變化不大。C:SU3、SU3-5R及ihBTC2細胞體增殖曲線。ihBTC2細胞的增殖速度明顯快于SU3及SU3-5R細胞。2：A:SU3、SU3-5R及ihBTC2細胞放射劑量-存活曲線：與S....

圖6.A:單純ihBTC2細胞組的克隆形成率顯著高于ihBTC2+GSIs組，γ-分泌酶抑制劑（GSIs）

圖6.A:單純ihBTC2細胞組的克隆形成率顯著高于ihBTC2+GSIs組，γ-分泌酶抑制劑（GSIs）可提高ihBTC2細胞的輻射敏感性，放射增敏比（SER）為1.47。B:4Gy照射時，ihBTC2細胞與ihBTC2+GSIs（2μM）的克隆集落....

圖1.SU3(A)與SU3-5R(B)細胞形態(tài)

1.SU3(A)與SU3-5R(B)細胞形態(tài)。細胞形態(tài)變化不大。C:SU3、SU3-5R及ihBTC2細胞體增殖曲線。ihBTC2細胞的增殖速度明顯快于SU3及SU3-5R細胞。2：A:SU3、SU3-5R及ihBTC2細胞放射劑量-存活曲線：與S....

圖6.A:單純ihBTC2細胞組的克隆形成率顯著高于ihBTC2+GSIs組，γ-分泌酶抑制劑（GSIs）

圖6.A:單純ihBTC2細胞組的克隆形成率顯著高于ihBTC2+GSIs組，γ-分泌酶抑制劑（GSIs）可提高ihBTC2細胞的輻射敏感性，放射增敏比（SER）為1.47。B:4Gy照射時，ihBTC2細胞與ihBTC2+GSIs（2μM）的克隆集落....

本文編號：3998933