InAs/GaSb II類超晶格是一項(xiàng)新型的紅外焦平面技術(shù),其響應(yīng)波長(zhǎng)可以覆蓋3～30μm的光譜范圍,具有均勻性好、暗電流低和量子效率較高等優(yōu)點(diǎn),是最有希望的碲鎘汞的替代技術(shù)。1987年,人們發(fā)現(xiàn)了其在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用價(jià)值后,II類超晶格材料和器件的研究獲得了極大的關(guān)注,特別是近年來II類超晶格探測(cè)器的發(fā)展在國(guó)際上極為迅速,美歐等一些技術(shù)先進(jìn)的國(guó)家已經(jīng)獲得了大規(guī)模、高性能的超晶格焦平面探測(cè)器并實(shí)現(xiàn)了清晰的實(shí)驗(yàn)室紅外熱成像。本文簡(jiǎn)要介紹該項(xiàng)新型紅外探測(cè)技術(shù)的基本原理、技術(shù)特點(diǎn)、技術(shù)關(guān)鍵及其在國(guó)內(nèi)外的發(fā)展趨勢(shì)。

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 基本技術(shù)原理
3 與現(xiàn)有紅外探測(cè)技術(shù)的比較
4 超晶格紅外探測(cè)材料的重要性能參數(shù)
5 先進(jìn)超晶格探測(cè)器結(jié)構(gòu)
6 II類超晶格焦平面探測(cè)器研究進(jìn)展
7 結(jié)語



本文編號(hào)：4050448