近年來,(Al_xGa_1-x)₂O₃作為一種超寬帶隙半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)異的光電性能與化學(xué)穩(wěn)定性,使得其在高功率器件和紫外探測等方面具有潛在價值。本文使用磁控濺射,通過Al/Ga₂O₃靶和Al₂O₃/Ga₂O₃靶制備了(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜,研究了不同參數(shù)對(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜晶體質(zhì)量的影響,并在(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜上制備了叉指電極,形成了MSM型紫外探測器,分析了(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜的光電...

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 課題背景及研究的目的和意義
    1.2 Ga₂O₃ 的基本性質(zhì)
    1.3 Al摻雜對Ga₂O₃ 薄膜的影響
    1.4 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀及分析
        1.4.1 國內(nèi)研究現(xiàn)狀
        1.4.2 國外研究現(xiàn)狀
        1.4.3 國內(nèi)外文獻(xiàn)綜述
    1.5 本論文的主要研究方法
第2章 樣品制備與表征手段
    2.1 薄膜制備
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)所需材料
        2.1.2 磁控濺射設(shè)備及原理
        2.1.3 后退火處理
    2.2 日盲紫外探測器
    2.3 實(shí)驗(yàn)表征
        2.3.1 X射線衍射(XRD)
        2.3.2 掃描電子顯微鏡(SEM)
        2.3.3 紫外-可見光譜(UV-VIS)
        2.3.4 X射線光電子能譜分析(XPS)
        2.3.5 拉曼光譜測試(Raman Spectra)
        2.3.6 光譜響應(yīng)測試
第3章 高Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜制備及組織結(jié)構(gòu)研究
    3.1 引言
    3.2 高Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的表征與分析
        3.2.1 濺射功率對高Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影響
        3.2.2 濺射壓強(qiáng)對高Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影響
        3.2.3 退火溫度對高Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影響
    3.3 本章小結(jié)
第4章 低Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜制備及其組織結(jié)構(gòu)研究
    4.1 引言
    4.2 低Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的表征與分析
        4.2.1 濺射功率對低Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影響
        4.2.2 濺射壓強(qiáng)對低Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影響
        4.2.3 氧流量對低Al組分的(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜的影響
    4.3 本章小結(jié)
第5章 日盲紫外探測器的制備及其研究
    5.1 引言
    5.2 結(jié)晶度對(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜光電性能的影響
    5.3 制備方法對(Al_xGa_1-x)₂O₃ 薄膜光電性能的影響
    5.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及其他成果
致謝



本文編號：4050921