基于自建的太赫茲散射型掃描近場(chǎng)顯微鏡系統(tǒng)（THz s-SNOM）,研究了其在顯微表征半導(dǎo)體載流子濃度分布中的應(yīng)用。對(duì)基于半導(dǎo)體硅的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行了近場(chǎng)顯微成像測(cè)量,并采用可見(jiàn)光調(diào)控本征硅樣品表面的載流子濃度,實(shí)現(xiàn)了不同濃度(10¹⁴～10¹⁷ cm^-3)光生載流子的近場(chǎng)檢測(cè)。結(jié)果表明,此THz s-SNOM能夠?qū)Π雽?dǎo)體微納結(jié)構(gòu)的載流子分布進(jìn)行高空間分辨率的顯微表征,測(cè)量結(jié)果與基于偶極子模型的計(jì)算結(jié)果具有較好的吻合度。

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本文編號(hào)：4053350