抗生素廢水凈化工藝中MoX 2 (X=S,Se)/TiO 2 NTs光電極的構建與作用機理研究
發(fā)布時間:2025-05-11 00:31
隨著近代科學技術的飛速發(fā)展,科技成果在帶給人們生活便利的同時,也伴帶來了一系列日益嚴峻的問題,例如:環(huán)境污染問題、能源短缺問題、生態(tài)穩(wěn)定問題等等。這些問題已經成為危害人類健康和阻礙可持續(xù)發(fā)展的重大難題。因此,發(fā)現(xiàn)和研究綠色環(huán)保、經濟可持續(xù)的方法來解決這些問題勢在必行。近些年來,光催化技術被認為是有望解決這些環(huán)境污染問題的重要技術。而TiO2基納米復合材料作為一種高效、穩(wěn)定、低廉、環(huán)保的光催化材料成為科研工作者的研究熱點。本文選用豎直排列、形貌均一的TiO2納米管陣列為基底,通過水熱法和電化學方法在納米管上修飾窄帶隙的過渡金屬硫化物(如MoS2、MoSe2)和導電性優(yōu)異的貴金屬銀納米粒子以形成新穎的Z型異質結復合材料,以其作為光電極用來光電催化降解抗生素污染物(如鹽酸四環(huán)素、頭孢噻肟鈉)。具體研究內容如下:(1)選擇市售鈦網為基底,采用陽極氧化法在其三維網格上定向生長TiO2納米管陣列(TiO2NTs)。以硝酸銀為銀源、硫代乙酰胺為硫源、鉬酸鈉為鉬源,應用光化...
【文章頁數(shù)】:73 頁
【學位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
第一章 緒論
1.1 選題依據、目的和意義
1.2 光催化技術和半導體納米材料
1.3 TiO2半導體納米材料
1.4 TiO2納米管的改性方法
1.4.1 金屬離子摻雜
1.4.2 非金屬離子摻雜
1.4.3 半導體復合
1.5 過渡金屬硫化物的沉積方法
1.5.1 化學氣相沉積法
1.5.2 水熱法
1.6 應用
1.6.1 太陽能電池
1.6.2 MoS2/Ag/TiO2NTs在光催化方面的應用
1.6.3 MoSe2/TiO2NTs在光催化方面的應用
1.7 研究意義和主要內容
第二章 MoS2/Ag/TiO2NTs光電極的制備及其光電催化降解鹽酸四環(huán)素的研究
2.1 引言
2.2 實驗部分
2.2.1 實驗試劑
2.2.2 實驗儀器
2.2.3 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的制備
2.2.4 材料的形貌、組成和結構表征
2.2.5 材料的光電性能測試
2.2.6 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的光催化降解
2.3 結果與討論
2.3.1 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的形貌和結構表征
2.3.2 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的XRD譜圖分析
2.3.3 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的XPS和比表面積譜圖分析
2.3.4 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的漫反射光譜和熒光光譜分析
2.3.5 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的光電流和阻抗譜圖分析
2.3.6 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的光電催化活性測試
2.3.7 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料穩(wěn)定性和光催化機理的研究
2.4 小結
第三章 MoSe2/TiO2NTs光電極對頭孢噻肟鈉光電催化降解性能的研究
3.1 引言
3.2 實驗部分
3.2.1 實驗試劑
3.2.2 實驗儀器
3.3 MoSe2/TiO2 NTs復合材料的制備
3.3.1 基底TiO2納米管陣列的制備
3.3.2 MoSe2/TiO2 NTs復合材料的合成
3.4 MoSe2/TiO2 NTs復合材料的表征和光電性能測試
3.5 MoSe2/TiO2 NTs復合材料光電催化降解頭孢噻肟鈉的測試
3.6 結構與討論
3.6.1 MoSe2/TiO2 NTs的掃描電鏡分析
3.6.2 MoSe2/TiO2 NTs的 XRD和 XPS分析
3.6.3 MoSe2/TiO2 NTs的 DRS和 PL分析
3.6.4 MoSe2/TiO2 NTs的光電流響應和交流阻抗圖譜
3.6.5 MoSe2/TiO2 NTs的莫特-肖特基分析
3.6.6 MoSe2/TiO2 NTs光電催化活性的分析
3.6.7 MoSe2/TiO2 NTs光穩(wěn)定性和可重復使用性的探究
3.6.8 MoSe2/TiO2 NTs能帶結構的分析
3.6.9 MoSe2/TiO2 NTs光電催化反應中活性物種的研究
3.7 MoSe2/TiO2 NTs光電催化機理的探究
3.8 小結
第四章 結論與展望
4.1 結論
4.2 展望
參考文獻
碩士期間發(fā)表的論文
致謝
本文編號:4044567
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【學位級別】:碩士
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Abstract
第一章 緒論
1.1 選題依據、目的和意義
1.2 光催化技術和半導體納米材料
1.3 TiO2半導體納米材料
1.4 TiO2納米管的改性方法
1.4.1 金屬離子摻雜
1.4.2 非金屬離子摻雜
1.4.3 半導體復合
1.5 過渡金屬硫化物的沉積方法
1.5.1 化學氣相沉積法
1.5.2 水熱法
1.6 應用
1.6.1 太陽能電池
1.6.2 MoS2/Ag/TiO2NTs在光催化方面的應用
1.6.3 MoSe2/TiO2NTs在光催化方面的應用
1.7 研究意義和主要內容
第二章 MoS2/Ag/TiO2NTs光電極的制備及其光電催化降解鹽酸四環(huán)素的研究
2.1 引言
2.2 實驗部分
2.2.1 實驗試劑
2.2.2 實驗儀器
2.2.3 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的制備
2.2.4 材料的形貌、組成和結構表征
2.2.5 材料的光電性能測試
2.2.6 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的光催化降解
2.3 結果與討論
2.3.1 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的形貌和結構表征
2.3.2 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的XRD譜圖分析
2.3.3 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的XPS和比表面積譜圖分析
2.3.4 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的漫反射光譜和熒光光譜分析
2.3.5 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的光電流和阻抗譜圖分析
2.3.6 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料的光電催化活性測試
2.3.7 MoS2/Ag/TiO2NTs復合材料穩(wěn)定性和光催化機理的研究
2.4 小結
第三章 MoSe2/TiO2NTs光電極對頭孢噻肟鈉光電催化降解性能的研究
3.1 引言
3.2 實驗部分
3.2.1 實驗試劑
3.2.2 實驗儀器
3.3 MoSe2/TiO2 NTs復合材料的制備
3.3.1 基底TiO2納米管陣列的制備
3.3.2 MoSe2/TiO2 NTs復合材料的合成
3.4 MoSe2/TiO2 NTs復合材料的表征和光電性能測試
3.5 MoSe2/TiO2 NTs復合材料光電催化降解頭孢噻肟鈉的測試
3.6 結構與討論
3.6.1 MoSe2/TiO2 NTs的掃描電鏡分析
3.6.2 MoSe2/TiO2 NTs的 XRD和 XPS分析
3.6.3 MoSe2/TiO2 NTs的 DRS和 PL分析
3.6.4 MoSe2/TiO2 NTs的光電流響應和交流阻抗圖譜
3.6.5 MoSe2/TiO2 NTs的莫特-肖特基分析
3.6.6 MoSe2/TiO2 NTs光電催化活性的分析
3.6.7 MoSe2/TiO2 NTs光穩(wěn)定性和可重復使用性的探究
3.6.8 MoSe2/TiO2 NTs能帶結構的分析
3.6.9 MoSe2/TiO2 NTs光電催化反應中活性物種的研究
3.7 MoSe2/TiO2 NTs光電催化機理的探究
3.8 小結
第四章 結論與展望
4.1 結論
4.2 展望
參考文獻
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本文編號:4044567
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